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英飛凌IPW90R120C3 N溝道功率MOSFET

發(fā)布時間：2024-03-29 09:33:05 瀏覽：2734

　　Infineon英飛凌IPW90R120C3是一款N溝道功率MOSFET，屬于CoolMOS? P7系列，是CoolMOS? C3的升級替代產(chǎn)品。

　　CoolMOS? C3是英飛凌于2001年推出的第三代CoolMOS?系列產(chǎn)品，是其產(chǎn)品組合的主打產(chǎn)品之一。

英飛凌IPW90R120C3 N溝道功率MOSFET

　　特點：

　　- 具有低導通電阻(RDS(on)* A)

　　- 在400V時具有低能量儲存輸出電容(Eoss)

　　- 低柵極電荷(Qg)

　　- 經(jīng)過實踐驗證的CoolMOS?技術質(zhì)量

　　優(yōu)勢：

　　- 高效率、高功率密度

　　- 超高成本/性能比

　　- 高可靠性

　　- 使用便捷

　　潛在應用：

　　- 消費類產(chǎn)品

　　- 計算機電源適配器

　　- 照明應用中的CoolMOS?功率晶體管

　　特性：

　　- 最低質(zhì)量指標RON x Qg

　　- 極限dv/dt額定

　　- 高峰值電流能力

　　- 符合JEDEC標準目標應用要求

　　- 無鉛鍍鉛;通過無鉛認證

　　- 所有全球研發(fā)中心中最優(yōu)秀的TO247

　　- 超低柵極電荷

　　CoolMOS? 900V專為以下應用而設計：

　　- 準諧振反激/正向拓撲結構

　　- PC Silverbox和消費者應用程序

　　- 工業(yè)開關模式電源(SMPS)

規(guī)格參數(shù)：

Parametrics	IPW90R120C3
ID (@25°C) max	36 A
ID max	36 A
IDpuls max	96 A
Mounting	THT
Operating Temperature min max	-55 °C 150 °C
Ptot max	417 W
Package	TO-247
Polarity	N
QG (typ @10V)	260 nC
QG	260 nC
RDS (on) (@10V) max	120 m?
RDS (on) max	120 m?
Rth	0.3 K/W
RthJA max	62 K/W
RthJC max	0.3 K/W
Special Features	price/performance
VDS max	900 V
VGS(th) min max	3 V 2.5 V 3.5 V

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