超碰人妻在线-亚洲免费永久精品-甜性涩爱韩国hd未删在线-精品久久久久成人码免费动漫-污网站免费观看-搡老岳熟女国产熟妇图片-国产女同在线观看-av三级电影-继夫啊蹂躏调教h大炕,91影院 2024最新电影电视剧,国产av中文字幕乱码高清,国产在线高清理伦片

Vishay BRCPA9500BKGHWS薄膜條形MOS電容器

發布時間:2024-10-22 08:57:02     瀏覽:2304

Vishay BRCP系列薄膜條形MOS電容器

  一、產品特點

  1. 采用堅固MOS結構。

  2. 允許多個線焊點,A型外殼最少可接受7個焊點,B型外殼最少可接受15個焊點。

  3. 低介電損耗(D),高Q值,且負載壽命穩定性出色。

  二、關鍵優勢

  1. 絕對容差低至±5%。

  2. 溫度系數低至±50ppm/°C。

  3. 具備堅固MOS結構,兩種外殼尺寸(120 x 35 mils和240 x 35 mils)均支持多次線焊(A型外殼最少7個焊點,B型外殼最少15個焊點),且負載壽命穩定性出色。

  三、應用領域

  1. 混合組裝。

  2. 低通LC、RC或LRC濾波器。

  3. 直流供電的射頻阻斷。

  4. 阻抗匹配。

  5. SiC或GaN高頻/高功率應用。

  四、電氣規格

  1. 電容范圍:5 - 100pF。

  2. 1kHz下絕對容差:±5%; -55°C至125°C絕對溫度系數:±50ppm/°C。

  3. 工作溫度:-55至+150°C;最大工作電壓:100V。

  4. 1MHz下介電損耗因數最大為0.01。

  5. 1kHz、1000小時、70°C、100VDC下絕對值穩定性:±0.25%;

  額定電壓2倍、25°C、5秒短時間過載:±0.25%;

  按MIL - STD - 202方法107F熱沖擊:±0.25%;

  按MIL - STD - 202方法106*耐濕性:±0.25%;

  100小時、150°C高溫暴露:±0.25%;

  -65°C、45分鐘、100VDC低溫操作:±0.25%。

  五、機械規格

  1. 芯片基板材料為硅;介質為二氧化硅。

  2. 頂部覆蓋層為至少1微米厚的金。

  3. 外殼尺寸見“外殼尺寸值和公差”表;無鈍化。

  4. 焊盤數量為1;背面覆蓋層(僅限環氧樹脂)為TiW/Au。

訂購指南:

Vishay BRCP系列薄膜條形MOS電容器訂購指南

型號:

BRCPBKITO1

BRCPAKIT01

BRCPA9500BKGHWS

BRCPA8500BKGHWS

BRCPA8000BKGHWS

BRCPA7500CKGHWS

BRCPA6500CKGHWS

BRCPA7000BKGHWS

BRCPB5500BKGHWS

BRCPB2500BKGHWS

BRCPA2750BKGHWS

BRCPA2500BKGHWS

BRCPA2250BKGHWS

BRCPA2000BKGHWS

BRCPA1750BKGHWS

BRCPA1500BKGHWS

BRCPA1300BKGHWS

BRCPA1250BKGHWS

BRCPA1000BKGHWS

BRCPA1000AKGHWS

BRCPA3000BKGHWS

BRCPA9000BKGHWS

BRCPA3750BKGHWS

BRCPA4000BKGHWS

BRCPA6500BKGHWS

更多vishay相關產品信息可咨詢立維創展

推薦資訊

  • Infineon英飛凌IRGB15B60KD IGBT芯片
    Infineon英飛凌IRGB15B60KD IGBT芯片 2025-02-14 09:18:42

    IRGB15B60KD是一款集成了絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和超快軟恢復二極管的組合器件,具有低導通電壓和低二極管正向壓降,適用于高效率和高可靠性的電機控制應用。其特性包括10μs短路能力、正溫度系數和超軟恢復特性,有效降低電磁干擾(EMI)。該器件支持600V集電極-發射極電壓,最大集電極電流為31A,并具備優異的熱阻抗和開關損耗性能,為高功率密度和低功耗需求提供了理想解決方案。

  • Infineon英飛凌FF23MR12W1M1PB11BPSA1模塊
    Infineon英飛凌FF23MR12W1M1PB11BPSA1模塊 2024-04-07 09:38:34

    Infineon英飛凌?FF23MR12W1M1PB11BPSA1是一款EasyDUAL模塊,它采用了Infineon公司的CoolSiCTM技術的Trench MOSFET,并且結合了PressFIT/NTC/TIM技術。這款模塊具有一系列預設的數據,其中Vds(最大漏源電壓)為1200V,ID nom(標稱電流)為50A,最大電流Imax可達100A。

在線留言

在線留言