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Onsemi安森美EliteSiC系列二極管、MOSFET及模塊的工業應用

發布時間:2025-10-29 14:02:49     瀏覽:198

  安森美(onsemi)的EliteSiC系列是專為工業和能源應用設計的碳化硅(SiC)功率半導體產品組合,涵蓋二極管、MOSFET、混合模塊和全SiC模塊。該系列憑借高效率、高功率密度、低損耗及高溫穩定性,廣泛應用于光伏逆變器、電動汽車充電、工業電機驅動、儲能系統等領域,助力客戶優化系統性能并降低總體成本。

  1、 EliteSiC Diodes(碳化硅二極管)

EliteSiC Diodes(碳化硅二極管)

  關鍵參數

  電壓等級:650V / 1200V / 1700V

  封裝類型:DPAK-3 / TO-252-LD / TO-247-3L等

  工作溫度:最高175°C(TJMAX)

  主要特點

   無反向恢復(QRR)——降低開關損耗,提高效率

   低正向壓降(VF)——減少傳導損耗

  溫度無關的開關特性——確保高溫下穩定運行

   高浪涌和雪崩能力——增強系統可靠性

  典型應用

  太陽能逆變器(PV)

  不間斷電源(UPS)

  工業電源

  2、 EliteSiC MOSFETs(碳化硅場效應晶體管)

 EliteSiC MOSFETs(碳化硅場效應晶體管)

  關鍵參數

  電壓等級:650V / 900V / 1200V / 1700V

  封裝類型:D2PAK-7(TO-263-7L HV)等

  主要特點

   超低柵極電荷(Qg)——減少驅動損耗

   低有效輸出電容(Coss)——提升開關速度

   100% UIL測試——確保器件一致性

  175°C高溫運行能力——適應嚴苛環境

  典型應用

  電動汽車(EV)充電樁

  服務器電源(PSU)

  電機驅動

  3、 EliteSiC Hybrid Modules(混合模塊)

EliteSiC Hybrid Modules(混合模塊)

  關鍵參數

  電壓等級:650V / 1000V / 1200V / 1700V

  模塊類型:

  T型NPC逆變器(Split NPC)

  I型NPC(1000V, 350A/450A IGBT + 1200V, 100A SiC Diode)

  3通道Boost(1000V, 150A IGBT)

  主要特點

    SiC二極管 + 快速開關IGBT——優化系統效率

   低熱阻基板——增強散熱能力

   引腳兼容設計——便于升級替換

  典型應用

  工業變頻器

  風電變流器

  4、EliteSiC Full Modules(全SiC模塊)

EliteSiC Full Modules(全SiC模塊)

  關鍵參數

  電壓等級:900V / 1200V

  模塊類型:

  Q0 / Q1 Boost模塊

  F1 / F2模塊(集成電容,降低電壓震蕩)

  主要特點

   比溝槽MOSFET更低熱阻——提高散熱效率

   負柵極電壓驅動——簡化控制設計

   標準化引腳布局——兼容不同RDS(on)需求

  典型應用

  儲能系統(ESS)

  軌道交通牽引系統

深圳市立維創展科技有限公司優勢提供Onsemi的MOSFETs、AC-DC/DC-DC電源轉換器模塊及碳化硅(SiC)產品,歡迎咨詢了解。

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