NXP半導(dǎo)體公司的A3M34SL039是一款面向5G無線基礎(chǔ)設(shè)施(如大規(guī)模MIMO、小基站)的高集成度Doherty功率放大器模塊,工作于3.3-3.7GHz頻段,提供8W平均功率、29.6dB增益和37.1%效率,采用10×8mm表貼封裝,集成自動偏置控制、I2C接口和溫度傳感功能,通過數(shù)字線性化技術(shù)實現(xiàn)-31.6dBc鄰道泄漏比,支持-40℃至125℃工業(yè)環(huán)境應(yīng)用。
Broadcom ExpressLane PEX-86xx系列是面向服務(wù)器、存儲和通信平臺的多主機(jī)PCIe Gen-2交換芯片組,提供96/80/64/48 lane四檔規(guī)格(對應(yīng)24/20/16/12端口),該系列通過PCIe 2.0(5GT/s)兼容設(shè)計,廣泛應(yīng)用于GPU擴(kuò)展背板、NVMe JBOF及電信冗余控制等高可靠性場景.
Onsemi NCP3237是安森美半導(dǎo)體推出的高效率同步降壓轉(zhuǎn)換器芯片,采用QFN18緊湊封裝(3.5mm×3.5mm),集成功率MOSFET,支持4.5-16V寬輸入范圍和0.6-12V可調(diào)輸出(±1%精度),單相可提供8A輸出電流,效率高達(dá)95%(12V轉(zhuǎn)3.3V時),開關(guān)頻率可調(diào)(300kHz-1.2MHz),工作溫度覆蓋工業(yè)級-40°C至150°C,適用于通信設(shè)備、服務(wù)器/存儲系統(tǒng)和工業(yè)控制等空間受限的高性能電源管理場景。
Semelab D1028UK是一款高性能DMOS工藝金屬柵極硅FET晶體管,關(guān)鍵參數(shù)包括28V工作電壓、438W最大功耗、70V漏源擊穿電壓及0.4°C/W優(yōu)異熱阻特性,特別適用于廣播通信、工業(yè)加熱和軍事射頻系統(tǒng)等高功率高頻應(yīng)用場景。
DATEL SB系列采用十六分之一磚標(biāo)準(zhǔn)封裝(0.9×1.3×0.404英寸),提供4:1超寬輸入范圍(部分型號2:1)和2.5-15V精密穩(wěn)壓輸出,功率覆蓋50W(4:1輸入)至100W(多輸出)。符合EN60950等安規(guī)認(rèn)證,是航空航天、工業(yè)自動化等嚴(yán)苛環(huán)境下高可靠性電源解決方案。
RO3210?是Rogers公司RO3200?系列的陶瓷填充高頻電路材料,采用玻璃纖維編織增強(qiáng),具備特定技術(shù)規(guī)格(如介電常數(shù)等多方面參數(shù)及對應(yīng)測試條件、方法)、標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格(厚度、面板尺寸、銅箔選項),典型應(yīng)用于汽車電子、通信基礎(chǔ)設(shè)施、衛(wèi)星通信、工業(yè)設(shè)備等場景。
DATEL DAC 產(chǎn)品提供 高速、高精度、寬溫、軍工級 多種選擇,適用于從消費級到航空航天級的廣泛需求。如需具體型號推薦,可進(jìn)一步提供應(yīng)用場景參數(shù)(如采樣率、溫度范圍等)。
瑞薩電子RL78/F22和F25系列是專為汽車電子和工業(yè)控制設(shè)計的高可靠性微控制器,具備超低功耗(1.8V~5.5V寬電壓)、高性能(40MHz主頻)和功能安全(ISO 26262 ASIL-B)特性。F22(128KB Flash)適用于經(jīng)濟(jì)型應(yīng)用如車燈控制,而F25(512KB Flash)支持CAN-FD和更復(fù)雜場景如車身控制模塊。全系集成硬件加密(AES/TRNG)、豐富外設(shè)(ADC/DAC/觸摸感應(yīng)),并提供完整開發(fā)工具鏈,是汽車級嵌入式系統(tǒng)的理想選擇。
Marvell 88E6361是一款高度集成的8端口千兆以太網(wǎng)交換芯片,集成了5個10/100/1000Mbps PHY和3個高速SerDes接口(包含2個2.5G SerDes和1個可配置為2.5G SerDes或RGMII的接口)。特別適用于SMB交換機(jī)、工業(yè)網(wǎng)關(guān)和云管理交換機(jī)等應(yīng)用場景。
MTI-MILLIREN 210系列OCXO適用于對性能要求高的場景,具備低功耗(25°C時連續(xù)功耗≤0.70W)、STRATUM III性能、低相位噪聲等特點,應(yīng)用領(lǐng)域包括STRATUM III、電信、微波無線電等。
DATEL DAC-1025SE 是一款高性能10位分辨率、250 MSPS采樣率的數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器(DAC),專為高速信號處理而設(shè)計。它采用低功耗架構(gòu),支持+3V至+5V單電源供電,內(nèi)置1.2V精密基準(zhǔn)電壓,并具備CMOS輸入鎖存功能,適用于醫(yī)療成像、通信基站、測試測量等高精度、高動態(tài)范圍應(yīng)用場景。
Semelab(現(xiàn)屬TT Electronics)的RF功率MOSFET產(chǎn)品,具備0.52mΩ超低導(dǎo)通電阻(以D2000系列為例)、高增益(最高13dB)、寬頻帶(1MHz - 2GHz)及緊湊封裝(DP/SO8/DK等)特性,滿足VHF/UHF通信、廣播發(fā)射、工業(yè)加熱、汽車電子(需補(bǔ)充具體型號)等高頻高功率場景需求。
Onsemi NVMFWS系列是符合AEC-Q101認(rèn)證的汽車級MOSFET,采用PowerTrench?技術(shù)實現(xiàn)0.52mΩ超低導(dǎo)通電阻和414A超高電流能力,搭配5×6mm2 SO-8FL緊湊封裝優(yōu)化布局空間。其低柵極電荷(Qg)設(shè)計提升開關(guān)效率,并通過RoHS/無鹵素環(huán)保認(rèn)證,專攻新能源汽車(電機(jī)驅(qū)動/OBC)、工業(yè)自動化(伺服機(jī)器人)、電池管理(BMS)及高頻電源系統(tǒng)(同步整流)等高可靠性場景,滿足PPAP文檔要求。
onsemi 安森美NTMFS4D系列功率MOSFET是一款高性能器件,具有3.5mΩ超低導(dǎo)通電阻和119A大電流承載能力,采用緊湊型DFN5封裝(5x6mm)優(yōu)化空間占用,并通過3.5°C/W超低熱阻和軟體二極管恢復(fù)技術(shù)顯著提升散熱效率與開關(guān)性能,適用于電機(jī)驅(qū)動、電池保護(hù)(如電動汽車)、同步整流及汽車/工業(yè)電源管理等場景
Vishay BCcomponents S Series 是高性能陶瓷單層直流圓片電容器系列,涵蓋1kVDC至6kVDC額定電壓及10pF-33nF電容范圍,適用于高壓濾波(測試電壓達(dá)額定值200%)、工業(yè)控制及醫(yī)療設(shè)備等場景。
Ampleon BLP981 是一款高頻大功率 LDMOS 晶體管,專為廣播、航空電子等嚴(yán)苛應(yīng)用設(shè)計,工作頻率覆蓋 HF 至 1400 MHz,支持 170W 輸出功率,具備 23.8 dB 高增益和 73% 漏極效率(700 MHz 測試),集成 ESD 保護(hù),可耐受 40:1 電壓駐波比的極端負(fù)載失配,采用 TO-270-2F-1 封裝(3 引腳帶散熱法蘭),符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),典型應(yīng)用于 DVB-T 發(fā)射機(jī)、機(jī)載通信和專業(yè)無線系統(tǒng),最大結(jié)溫 225°C(需控制長期高溫),工作電壓 108V。
Device Engineering 的 DEI107xA 系列是軍規(guī)級(-55~+125°C)ARINC 429 線路驅(qū)動器,可將 TTL/CMOS 串行數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為標(biāo)準(zhǔn) ±5 V 三電平差分信號,12.5 k/100 k 雙速率可選、±9.5~16.5 V 寬壓供電、內(nèi)建短路保護(hù)與 2 kV ESD,8-SOIC 散熱封裝;1073A/74A/75A 另帶三態(tài)輸出便于總線共享,為飛控、導(dǎo)航、航電測試提供高可靠、高速數(shù)據(jù)通信一站式驅(qū)動方案。
DAC-1212SE是DATEL公司推出的12位125MSPS高速數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器,具有72dB動態(tài)范圍和35ns建立時間的高性能表現(xiàn),支持3-5V單電源供電及內(nèi)置/外接基準(zhǔn)電壓。該器件采用28引腳TSSOP封裝,具備-40°C至105°C寬溫工作能力與RoHS認(rèn)證,其2-20mA可調(diào)輸出、0.075W低功耗模式及CMOS輸入鎖存特性,使其在通信基站、醫(yī)療成像、軍工電子和工業(yè)控制等嚴(yán)苛環(huán)境中具有顯著優(yōu)勢。
Semelab RF VDMOS功率MOSFET采用硅垂直DMOS與金金屬化工藝,1 MHz–1 GHz超寬帶、750 mW–400 W全功率段覆蓋,VHF增益20 dB、UHF 16 dB,可承受20:1 VSWR,12.5 V/28 V/50 V多電壓選項,全系列RoHS合規(guī),提供鉆石增強(qiáng)封裝,廣泛應(yīng)用于通信基站、國防干擾機(jī)、醫(yī)療及EMC測試等高可靠性場景。
Semelab推出的D1008UK(TetraFET)是一款采用推挽架構(gòu)的80W寬帶射頻功率MOSFET,覆蓋1MHz-500MHz頻段,具備13dB高增益和75%峰值效率(400MHz),其TO-270金屬陶瓷封裝配合1.0°C/W超低熱阻,可耐受20:1 VSWR失配,專為高頻通信(業(yè)余電臺/廣播發(fā)射機(jī))、軍用雷達(dá)、工業(yè)射頻加熱及推挽放大器等高要求場景設(shè)計。
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